加工的过程中， 由于ESD火花引发的恶性事故也时有发生。据统计， 美国从1960年到
    1975年，由于静电放电引起的火灾爆炸事故就有116起。我国在上个世纪中后期，石化
    企业曾发生30多起较大的静电事故，如上海某石化公司的2000m甲苯罐、山东齐鲁某
    公司的胶渣罐、抚顺某石化公司的航煤罐以及天津某公司的北仓二罐站等都因静电造成
    了严重的火灾爆炸事故。在烟花、爆竹、弹药、火工品生产领域.因静电放电造成的恶性事
    故，更是触目惊心!如1984年春，我国太原市北郊烟花厂，因静电放电引发的燃烧爆炸造
    成厂毁人亡的重大恶性事故，死伤人数几乎占当天出勤人数的一半，整个工厂被毁。
    除此之外，由于静电场的库仑力作用或静电放电的其他效应，在塑料和橡胶制品加
    工、成型过程中，在纺织、印刷、自动化包装、感光胶片生产等过程中，都会由于静电场的存
    在或静电放电使其生产出现故障，造成静电障碍。所以，国外把这种静电危害称为“阵
    随着微电子技术的迅猛发展，电子产品的更新换代周期愈来愈短，大规模集成电路
    (LSI) 、超大规模集成电路(VLSI) 、专用集成电路(ASIC) 以及超高速集成电路(UH SIC)
    已广泛应用于各个领域。近几年，由于航天、军事领域的特殊需要，各种徽电子器件已大
    大提高了集成度，而且做到了徽功耗、高可靠、多功能。电路中的绝缘层越来越薄，其互连
    导线的宽度与间距也越来越小。这样发展的器件的电磁敏感度大大提高，抗过电压能力
    却有所下降。如CMOS电路的耐击穿电压已降到80~100V， V MOS电路的耐击穿电压
    有的只是30V， 而千兆位的DRAM耐压为10-20V。但是， 这些器件在生产、运输、存、
    周转和使用过程中，人体及周围环境中的静电源的电压常常在数千伏甚至上万伏范围。
    如果不采取静电防护措施，将会造成严重损失。据报道，日本国曾统计，不合格的电子器
    件中有45%是静电放电危害造成。在电子工业领域，全球每年因静电造成的损失高达百
    亿美元。
    近几年，随着微纳米器件和微细加工的发展，对静电防护问题提出了更高的要求。为
    此，世界各工业发达国家都十分重视静电危害及其防护研究。人们不仅在各个工业生产
    领域研究防止静电危害的对策，保证生产过程的安全性和产品质量、性能的可靠性，而且
    注重研究产品在静电存在的环境中使用过程的电磁兼容性。静电放电形成的宽频带电磁
    辐射会对各种电子系统造成电磁干扰，所以，在各种电子产品的电磁兼容性设计中都要考
    虑静电防护这一要求。美国政府工作报告(AD-A243367)于1991年就明确指出静电放电
    是电磁环境效应的重要组成部分。美国的军用标准和国际电工委员会标准等相关的电磁
    兼容性内容都对静电放电防护提出了具体要求。如国际电工委员会IEC 61000-4-2， 不仅
    对静电放电模型(人体金属ESD模型) 参数、仪器及试验方法作出了严格的规定， 而且随
    着静电放电试验的研究和工业生产发展的要求，对该标准不断进行了修订。从1991年的
    IEC 801-2到目前的IEC 61000-4-2已进行了多次大的修改。可见， 静电放电的防护问题
    已不是过去单纯研究静电引起灾害事故和生产障碍的安全性问题，而是包括静电放电形
    成电磁干扰的系统及系统间的电磁兼容性问题。
    总之，静电放电是一种常见的近场危害源，静电放电过程可形成高电压、强电场、瞬时
    大电流，其电流波形的上升时间可小于1ns，并伴随有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉
    冲(ESD EMP) 。静电放电电磁脉冲不仅可以对电子设备造成严重干扰和损伤，